技术编号:3442065
提示:您尚未登录,请点 登 陆 后下载,如果您还没有账户请点 注 册 ,登陆完成后,请刷新本页查看技术详细信息。本实用新型涉及光伏或半导体领域中的一种分离石英坩埚片和氮化硅的装置,经 该装置处理分离后得到的氮化硅经过简单处理后可再次作为石英坩埚涂层的制备原料,当 然也可以用做其他用途,分离得到的石英坩埚片也可进行再利用。背景技术在多晶硅铸造过程中,由于制备工艺需要,在石英坩埚表面涂覆高纯氮化硅涂层, 在完成多晶硅铸造后,该氮化硅涂层回收后可以进行重复利用,但是由于坩埚壁上的氮化 硅涂层由于经过高温烘烤和铸锭的高温烧结,氮化硅粉体和石英坩埚紧紧地结合在一起, 很难将氮...
注意:该技术已申请专利,请尊重研发人员的辛勤研发付出,在未取得专利权人授权前,仅供技术研究参考不得用于商业用途。
该专利适合技术人员进行技术研发参考以及查看自身技术是否侵权,增加技术思路,做技术知识储备,不适合论文引用。