技术编号:3446529
提示:您尚未登录,请点 登 陆 后下载,如果您还没有账户请点 注 册 ,登陆完成后,请刷新本页查看技术详细信息。本发明涉及到ー种掺杂三氧化ニ钒粉粉体材料的制备方法,属于无机功能材料领域。背景技术三氧化ニ钒晶体(V2O3)大约在160K呈现“金属一绝缘体相变”,即(MIT)现象。V2O3有两个与温度相关的相变点,在约160K发生低温反铁磁绝缘相(AFI)到高温顺磁金属相(PM)的一级相变,电阻率变化呈负温度系数电阻(NTC)特性,即电阻值随温度的升高而减低。在约550K的温度处发生低温顺磁金属相(PM)到高温顺磁绝缘相(PI)的ニ级相变,相变时电阻率变化呈正温度系数电...
注意:该技术已申请专利,请尊重研发人员的辛勤研发付出,在未取得专利权人授权前,仅供技术研究参考不得用于商业用途。
该专利适合技术人员进行技术研发参考以及查看自身技术是否侵权,增加技术思路,做技术知识储备,不适合论文引用。