技术编号:3447789
提示:您尚未登录,请点 登 陆 后下载,如果您还没有账户请点 注 册 ,登陆完成后,请刷新本页查看技术详细信息。本发明涉及一种硫化锰薄膜的制备方法,具体涉及一种树枝状结构Y -MnS薄膜的制备方法。背景技术金属硫化物是一类重要的半导体材料,在光学器件、光电池、能贮存介质及催化等领域有广泛的应用。MnS是YD B-VI A的弱磁性半导体,带隙宽度为3. 7eV,在制备太阳能电池的窗口 /缓冲材料,短波光电器件,催化材料、大容量光存储器等方面有着潜在的应用[ki s J,Tang K B,Yang Q,et al. Solvothermalsynthesis of me...
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