技术编号：3450459
提示：您尚未登录，请点 登 陆 后下载，如果您还没有账户请点 注 册 ，登陆完成后，请刷新本页查看技术详细信息。本发明涉及杂质含量极低的碳材料，更详细地说，涉及硅单晶、碳化硅单晶(SiC)、氮化镓(GaN)、氟化钙(CaF2)单晶等半导体产业和原子能产业中使用的，或作为陶瓷膜被覆用基材使用的高纯度碳材料。此外，还涉及以这些高纯度碳材料作为基材的被覆有陶瓷膜的高纯度碳材料。背景技术 碳材料不仅耐热性、各种机械特性优异，还具有难以与其它金属反应的优点，已广泛用于半导体、机械、原子能产业等。然而，近年来，无论是使用硅单晶的半导体，还是使用以碳化硅、氮化镓为代表的化合物单晶...
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