技术编号:3450487
提示:您尚未登录,请点 登 陆 后下载,如果您还没有账户请点 注 册 ,登陆完成后,请刷新本页查看技术详细信息。本发明涉及碳化硅粉末和制造所述碳化硅粉末的方法。背景技术近年来,已经将碳化硅(SiC)单晶用作用于制造半导体装置的半导体衬底。与更经常使用的硅(Si)相比,SiC具有更大的带隙。因此,使用SiC的半导体装置有利地具有高击穿电压、低导通电阻和在高温环境中不易下降的性能。因此,使用SiC的半导体装置已经引起了关注。例如,专利文献I (日本特开2005-314217号公报)公开了一种制造用于生长SiC单晶的原料的方法。此处,专利文献I公开了一种通过如下来制备用于...
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该专利适合技术人员进行技术研发参考以及查看自身技术是否侵权,增加技术思路,做技术知识储备,不适合论文引用。