技术编号:3452490
提示:您尚未登录,请点 登 陆 后下载,如果您还没有账户请点 注 册 ,登陆完成后,请刷新本页查看技术详细信息。本发明提供了一种通过硅热还原制备低共熔合金主体的方法。所述方法可包括加热包括硅和包含一种或更多种金属元素M与氧的金属氧化物的混合物;从所述混合物形成低共熔合金熔体;以及从所述低共熔合金熔体移除热,从而形成所述低共熔合金主体,所述低共熔合金主体具有包含硅的第一相与作为硅化物相的第二相的低共熔聚集体。专利说明金属氧化物的硅热还原形成低共熔复合材料 [0001] 本公开整体涉及低共熔合金,更具体地讲涉及包含硅(Si)的低共熔合金组合物。 背景技术 [0...
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