技术编号:3454128
提示:您尚未登录,请点 登 陆 后下载,如果您还没有账户请点 注 册 ,登陆完成后,请刷新本页查看技术详细信息。本发明公开了。所述方法通过一步法将表面活性剂分子固定在单壁碳纳米管表面,以非共价键的方式诱导介孔二氧化硅壳层的包覆生长,不仅实现了对介孔二氧化硅壳层厚度的调控,并且可以消除氧化硅自成核现象的发生;此方法还可以在介孔孔壁和壳层外表面修饰不同的功能基团,使复合材料易于分散于各类溶剂中,提高了单壁碳纳米管的分散稳定性,同时介孔孔道可用来装载和传输不同的客体分子,具有广阔的应用前景。专利说明[0001]本发明涉及复合纳米材料制备领域,尤其涉及一种介孔二氧化娃包覆单...
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