技术编号:3455374
提示:您尚未登录,请点 登 陆 后下载,如果您还没有账户请点 注 册 ,登陆完成后,请刷新本页查看技术详细信息。本发明低温等离子体还原四氯化硅生产三氯氢硅方法及其装置。将现有的多晶硅生产的副产物四氯化硅,经用低温等离子体氢化还原转化为生产多晶硅的原材料三氯氢硅,实现了将副产物转化为原材料,提高了生产多晶硅的产率约30%。低温等离子体氢化还原反应在反应装置内进行,主体结构包括含有夹套的反应器,低温等离子体电源、正负电极、气化室和混合室。电场加速电子,使电子温度达到5~10ev,进而与反应器内反应气体碰撞,形成大量活性组分,反应活性将大大提高,使四氯化硅加氢生成三氯氢硅...
注意:该技术已申请专利,请尊重研发人员的辛勤研发付出,在未取得专利权人授权前,仅供技术研究参考不得用于商业用途。
该专利适合技术人员进行技术研发参考以及查看自身技术是否侵权,增加技术思路,做技术知识储备,不适合论文引用。