技术编号:34554443
提示:您尚未登录,请点 登 陆 后下载,如果您还没有账户请点 注 册 ,登陆完成后,请刷新本页查看技术详细信息。.本公开实施例涉及半导体制造技术领域,特别涉及一种半导体结构的制造方法。背景技术.动态随机存取存储器(dynamic random access memory,简称dram)是一种半导体存储器,通常包括由多个重复的存储单元组成的阵列区和位于阵列区外围的外围区。.目前,在外围区和阵列区形成接触窗时,一方面容易在外围区刻蚀过量,导致漏电现象的出现;另一方面又容易在阵列区出现刻蚀不够,导致断路现象的出现。以上都会造成器件出现失效的问题。发明内容.本公开实施例提供一种半导体结构的制造方法,至少有...
注意:该技术已申请专利,请尊重研发人员的辛勤研发付出,在未取得专利权人授权前,仅供技术研究参考不得用于商业用途。
该专利适合技术人员进行技术研发参考以及查看自身技术是否侵权,增加技术思路,做技术知识储备,不适合论文引用。
该类技术注重原理思路,无完整电路图,适合研究学习。