技术编号:3456493
提示:您尚未登录,请点 登 陆 后下载,如果您还没有账户请点 注 册 ,登陆完成后,请刷新本页查看技术详细信息。本发明公开了,包含以下步骤步骤1取一衬底放入氢化物气相外延设备的反应室中;步骤2在氢化物气相外延设备中对衬底表面进行高温氮化处理;步骤3将氢化物源和氮源分别通入铝源区和反应室中,在氮化后的衬底上进行柱状排列的氮化铝纳米结构材料制备;步骤4结束生长后,关闭氢化物源;步骤5当反应室温度降到550℃以下,关闭氮源;步骤6反应室温度降到室温后,取出样品。专利说明 [0001]本发明涉及半导体材料生长,尤其是指一种通过控制生长温度、反应物源流量和生长压强来制备...
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