技术编号:3459102
提示:您尚未登录,请点 登 陆 后下载,如果您还没有账户请点 注 册 ,登陆完成后,请刷新本页查看技术详细信息。相关申请的交叉引用本发明是2002年11月19日提交的美国专利申请10/299,482的部分继续,其公开内容在此引为参考。 背景技术 现今半导体生产中用到的三氟化氮(NF3)的需求很大并呈增长趋势。三氟化氮可用作,例如,蚀刻剂或容器清洁气。工业规模上的NF3通常通过对氟化氢铵/HF复合物进行氟化得到。制备这种复合物主要采用两种方法直接氟化(DF)和电化学氟化(ECF)。在对NH3或NH4+盐类进行直接氟化得到NF3的过程中,有例如如下的竞争反应(1)(2)...
注意:该技术已申请专利,请尊重研发人员的辛勤研发付出,在未取得专利权人授权前,仅供技术研究参考不得用于商业用途。
该专利适合技术人员进行技术研发参考以及查看自身技术是否侵权,增加技术思路,做技术知识储备,不适合论文引用。