技术编号:3460531
提示:您尚未登录,请点 登 陆 后下载,如果您还没有账户请点 注 册 ,登陆完成后,请刷新本页查看技术详细信息。本发明涉及掺杂剂含量低的多晶硅块材。背景技术在工业规模上,粗制硅是通过在电弧炉中在约2000°C的温度下用碳还原二氧化硅获得的。在此,获得纯度约为98至99%的所谓的“冶金级”硅(Simg)。对于光伏和微电子应用,必须对冶金级硅进行纯化。为此,例如在300至350°C下在流化床反应器中与气态氯化氢反应生成含有硅的气体,例如三氯硅烷。接着实施蒸馏步骤,以对含有硅的气体进行纯化。于是该高纯度的含有硅的气体用作制备高纯度多晶硅的起始原料。多晶硅通常是通过西门子法...
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