技术编号:3460848
提示:您尚未登录,请点 登 陆 后下载,如果您还没有账户请点 注 册 ,登陆完成后,请刷新本页查看技术详细信息。本发明涉及,属无机半导体微纳米材料的制备及应用的。背景技术硫化铜是一种性能优良的半导体材料,具有很好的导电性能,可在低温下转化为超导体,高温时具有快离子导体的特性;硫化铜也是一种P型半导体材料,带隙能为2.0ev,被广泛应用在太阳能电池、传感器及催化领域。目前,制备硫化铜的主要方法有乳化液法、Y射线辐射法、溶剂热法及水热合成法,但这些方法涉及到的硫源均为硫脲、硫化钠、硫代硫酸钠等常规硫源,这些常规硫源均会产生有毒的硫化氢气体,均会造成环境污染,而且在制备使...
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