技术编号:34616936
提示:您尚未登录,请点 登 陆 后下载,如果您还没有账户请点 注 册 ,登陆完成后,请刷新本页查看技术详细信息。.本发明涉及半导体激光加工技术领域,具体涉及一种太阳能晶硅电池绿光超快激光刻槽方法和系统。背景技术.目前市场上的太阳能电池按照材料不同分为三类:晶硅太阳能电池、薄膜太阳能电池和光电化学太阳能电池。近年来,晶硅太阳能电池在提高效率和降低成本方面取得了较大的进展,进一步提高了它在光伏中的优势地位。电池制备过程中,需要在晶硅电池的表面刻出独立的窄槽,每个窄槽对应一个独立的电池单元,然后将各电池单元串联成一个太阳能电池组件。相比较丝网印刷和化学刻蚀等技术来说,刻槽后埋栅的电池具有接触电阻小、电流收集...
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该专利适合技术人员进行技术研发参考以及查看自身技术是否侵权,增加技术思路,做技术知识储备,不适合论文引用。