技术编号：3463699
提示：您尚未登录，请点 登 陆 后下载，如果您还没有账户请点 注 册 ，登陆完成后，请刷新本页查看技术详细信息。本发明涉及，属于无机材料制备。背影技术硫铟铜CuInS2(CIS)具有黄铜矿结构，禁带宽度1.55eV，是一种优秀的光伏材料。众所周知，能源问题是当今世界的重大问题之一，为了有效应对全球范围内的能源危机和环境危机，世界各国正致力于推广绿色可再生太阳能源的光伏应用。作为光伏材料，硫铟铜具有以下优点①禁带宽度接近太阳能电池材料的最佳禁带宽度(1.4eV)；②吸收系数较大；③CuInS2为直接能隙半导体，这可减少对少数载流子扩散的要求；④与CuInSe2相比，C...
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