技术编号:34644408
提示:您尚未登录,请点 登 陆 后下载,如果您还没有账户请点 注 册 ,登陆完成后,请刷新本页查看技术详细信息。.本发明实施例涉及半导体技术领域,尤其涉及一种半导体器件的外延结构及其制备方法、半导体器件。背景技术.半导体材料氮化镓(gan)由于具有禁带宽度大、电子饱和漂移速度高、击穿场强高、导热性能好等特点,比si和gaas更适合于制备高温、高频、高压和大功率器,例如用于制备氮化镓高电子迁移率晶体管(gan hemt)器件。.但是,由于缺少gan衬底,gan外延技术都生长在异质衬底上,gan与异质衬底之间存在晶格失配,导致异质外延的gan材料存在较多的穿透位错,影响gan的晶体质量,进而影响半导体器...
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该专利适合技术人员进行技术研发参考以及查看自身技术是否侵权,增加技术思路,做技术知识储备,不适合论文引用。