技术编号:34644502
提示:您尚未登录,请点 登 陆 后下载,如果您还没有账户请点 注 册 ,登陆完成后,请刷新本页查看技术详细信息。.本发明实施例涉及微电子技术领域,尤其涉及一种半导体器件及其制作方法。背景技术.iii族氮化物材料在实现光电器件以及高电子迁移率晶体管器件(high electron mobility transistor,hemt)方面具有独特的优势,其研究也经历了漫长的发展过程。氮化镓(gan)半导体材料具有禁带宽度大、电子饱和漂移速率高、击穿场强高、耐高温等显著优点,与第一代半导体硅和第二代半导体砷化镓相比,更适合于制作高温、高压、高频和大功率的电子器件,具有广阔的应用前景,已成为目前半导体行业研究的...
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该专利适合技术人员进行技术研发参考以及查看自身技术是否侵权,增加技术思路,做技术知识储备,不适合论文引用。