技术编号:34644561
提示:您尚未登录,请点 登 陆 后下载,如果您还没有账户请点 注 册 ,登陆完成后,请刷新本页查看技术详细信息。.本发明涉及半导体技术领域,特别涉及一种半导体器件及其制备方法、电子设备。背景技术.现有半导体芯片衬底在衬底及外延片表面是各向同性的,也即不同衬底表面上各个位置上的垂直结构和电性能是相同的。这样做的原因主要是基于成本方面的考虑,在衬底进行mocvd(金属有机化合物化学气相沉淀)或mbe(分子束外延)外延生长的时候,把多个衬底放入反应炉中一起生长,由于生长气体的化学反应产生的外延生长在反应炉内的各个衬底表面基本相同,因此生长出的外延片结构也是相同的。.芯片工艺总是追求更高的集成度,以获得更高...
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该专利适合技术人员进行技术研发参考以及查看自身技术是否侵权,增加技术思路,做技术知识储备,不适合论文引用。