技术编号:3465320
提示:您尚未登录,请点 登 陆 后下载,如果您还没有账户请点 注 册 ,登陆完成后,请刷新本页查看技术详细信息。本发明涉及用于多晶硅的化学气相沉积(CVD)的氢再循环方法/系统。具体地, 本发明涉及经由气态硅烷前体的分解生产多晶硅块材料的基本上完全或完全氢利用以及基本上无污染或无污染的氢再循环方法。背景技术经由气态前体化合物在细棒基底上的分解生产多晶硅块材料是通常被称作“西门子法”的公知的、广泛使用的方法。西门子法是组合的分解/沉积方法,包括(1)加热被合适的外罩覆盖的一个或更多个棒或丝(适当的基底),以允许高温、气密操作;( 供料没有或极微污染的期望组成(含有硅)...
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