技术编号:3465828
提示:您尚未登录,请点 登 陆 后下载,如果您还没有账户请点 注 册 ,登陆完成后,请刷新本页查看技术详细信息。本发明涉及一种I-III-VI族半导体材料的微波-辅助溶剂热合成方法,所合成的半导体材料可被用于太阳能电池、光电传感器等,尤其被广泛应用于CIS/CIGS系薄膜太阳电池吸收层材料。背景技术近年来太阳能电池的研制和开发日益得到重视,尤其是直接带隙材料薄膜太阳电池的开发成为新的研究热点。由于薄膜太阳电池具有耗材少,而光电转换又高的特点, 大大降低了电池器件成本。在薄膜太阳能电池的研究中,Cu(In, Ga) Se2, CuInS2, CuInSe2, Cu (...
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