技术编号:34668930
提示:您尚未登录,请点 登 陆 后下载,如果您还没有账户请点 注 册 ,登陆完成后,请刷新本页查看技术详细信息。.本申请涉及半导体技术领域,具体涉及一种半导体器件。背景技术.绝缘栅双极型晶体管(insulated gate bipolar transistor,igbt)是一种mos场效应晶体管和双极型晶体管复合的新型电力电子器件。它既有mosfet易于驱动、控制简单的优点,又有功率晶体管导通压降低、通态电流大、损耗小的优点,已成为现代电力电子电路中的核心电子元器件之一,广泛地应用在诸如通信、能源、交通、工业、医学、家用电器及航空航天等国民经济的各个领域。igbt的应用对电力电子系统性能的提升起到了极...
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