技术编号:3466995
提示:您尚未登录,请点 登 陆 后下载,如果您还没有账户请点 注 册 ,登陆完成后,请刷新本页查看技术详细信息。本发明属于微电子,涉及半导体材料的制作,具体地说是在 4H/6H-SiC (OOOT)碳面外延生长晶圆级石墨烯的制备方法。背景技术石墨烯是由单层Sp2碳原子组成的六角平面晶格结构的材料,它有着卓越的物理学性质,主要表现在以下诸方面(1)双极性电场效应强仅施加一个外电场,其电荷载流子密度就能够连续的从η型转变为ρ型;(2)在Dirac点附近,电子和空穴表现出如同光子的线性色散的关系,在低温下,电子和空穴的速度接近光在真空速度的三百分之一;(3)室温下,石墨烯...
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