技术编号:3467095
提示:您尚未登录,请点 登 陆 后下载,如果您还没有账户请点 注 册 ,登陆完成后,请刷新本页查看技术详细信息。本发明涉及一种半导体材料及其制备方法,特别是涉及一种二氧化钛及其制备方法。背景技术二氧化钛是一种无毒、催化活性高、化学稳定性好、价廉易得及可直接利用太阳能的半导体,在光催化、光电催化、传感器、染料敏化太阳能电池和锂离子电池等众多领域有着广泛的应用。二氧化钛的光催化和光电催化等性能主要受晶型、比表面积、表面性质和形貌等的影响。例如锐钛矿结构二氧化钛较金红石型、板钛矿型等其他晶型的二氧化钛具有更加优异的光催化性能;由于二氧化钛空心结构密度较低,比表面积较大,具...
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