技术编号:3469641
提示:您尚未登录,请点 登 陆 后下载,如果您还没有账户请点 注 册 ,登陆完成后,请刷新本页查看技术详细信息。本发明涉及一种,特别是涉及一种用于容易获得结晶性高、组成和粒径的均匀性优异且粒径小的氧化物晶体微粒的方法以及该微粒。 背景技术近年来,特别是随着半导体集成电路的高集成化和高功能化,需求开发用于微细 化和高密度化的微细加工技术。在半导体器件制造工序、特别是多层线路形成工序中,层间 绝缘膜、嵌入线路的平坦化技术很重要。也就是说,随着半导体制造工艺的微细化和高密度 化所带来的线路多层化,各层表面的凸凹容易变大,为了防止其高度差超过光刻的焦点深 度等问题,多层线路...
注意:该技术已申请专利,请尊重研发人员的辛勤研发付出,在未取得专利权人授权前,仅供技术研究参考不得用于商业用途。
该专利适合技术人员进行技术研发参考以及查看自身技术是否侵权,增加技术思路,做技术知识储备,不适合论文引用。