技术编号:3470917
提示:您尚未登录,请点 登 陆 后下载,如果您还没有账户请点 注 册 ,登陆完成后,请刷新本页查看技术详细信息。本发明提供一种氧化膜成膜方法,所述氧化膜成膜方法能够不受大气变动的影响地一直正常地形成氧化膜,在金属氧化膜的情况下能够形成低电阻的膜,并且成膜效率好。而且,在本发明中,在大气中,对基板(100)雾状喷出含有烷基化合物的原料溶液。然后,对雾状的原料溶液供给对烷基化合物具有氧化作用的氧化剂。通过以上的处理,在本发明中,在基板上形成氧化膜。专利说明氧化膜成膜方法及氧化膜成膜装置[0001] 本发明涉及氧化膜成膜方法及氧化膜成膜装置。背景技术[0002]氧化膜为根...
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