技术编号：34713600
提示：您尚未登录，请点 登 陆 后下载，如果您还没有账户请点 注 册 ，登陆完成后，请刷新本页查看技术详细信息。.本申请涉及一种用于在半导体处理腔室中对晶圆进行加热的装置，尤其涉及一种真空吸附式加热器。本申请还涉及可与真空吸附式加热器配合使用的真空吸附系统、以及利用真空吸附系统吸附晶圆的方法。背景技术.晶圆或基板是用于制备半导体装置的基底。为了制备半导体装置(例如集成电路、半导体发光装置等)，需要将晶圆或基板放置于半导体处理腔室(也称反应腔室)进行加热及沉积处理(例如，化学气相沉积(cvd)、等离子体增强化学气相沉积(pecvd)等)，以在晶圆或基板的表面沉积薄膜。在处理过程中，可通过真空吸附等方式将...
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