技术编号：3471888
提示：您尚未登录，请点 登 陆 后下载，如果您还没有账户请点 注 册 ，登陆完成后，请刷新本页查看技术详细信息。本发明涉及一种在含硅层(101)的基材(100)表面上形成石墨烯层(105)的方法，所述方法包括以下连续步骤在所述硅层的自由表面上形成（1）碳化硅膜(103)；以及逐步加热该基材，直到至少该碳化硅膜的第一排原子中的硅升华，从而在所述碳化硅膜上形成石墨烯层。根据本发明，使用了自由表面为阶梯式的硅层。专利说明[0001]本发明涉及。[0002]在本申请中，将使用常规的阶梯术语，其中梯面指放脚的表面，梯级竖板指在两梯面之间延伸的表面，梯面宽度是梯级竖板到梯级竖板...
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