技术编号:3473837
提示:您尚未登录,请点 登 陆 后下载,如果您还没有账户请点 注 册 ,登陆完成后,请刷新本页查看技术详细信息。一种炉内气体介质强制循环式多晶硅还原炉。本发明涉及高温高压化学气相沉积反应器领域,尤其是多晶硅沉积反应器,目前多晶硅还原炉内气流场和温度场分布不均匀,在硅棒表面存在着较厚的表面气体界面层,严重影响多晶硅的生产效率,本发明在还原炉钟罩顶部增设强制循环气流叶片,迫使炉内原料气体均匀向上高速运动,对硅棒表面起到强大冲刷作用,有效降低了硅棒表面界面层厚度,并加速了HCL的迅速离开,确保了多晶硅的高速沉积,还解决了密封,降温和腐蚀问题,同时具备原料循环量少,节能降耗...
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