技术编号：3481122
提示：您尚未登录，请点 登 陆 后下载，如果您还没有账户请点 注 册 ，登陆完成后，请刷新本页查看技术详细信息。本发明的课题在于提供在较低温度下制作作为半导体元件、光学元件有用的IV族金属氧化物膜的方法。本发明涉及在通过将溶解于有机溶剂的制膜用材料涂布于基板表面，进行热处理、紫外线照射处理、或这两种处理，从而制作IV族金属氧化物膜的方法中，作为制膜用材料，使用使具有特定结构的亚乙烯基二酰胺络合物与氧气、空气、臭氧、水、过氧化氢等氧化剂进行反应而得到的制膜用材料。专利说明制膜用材料、IV族金属氧化物膜和亚乙烯基二酰胺络合物[0001]本发明涉及作为用作半导体元件、光学...
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