技术编号:34931364
提示:您尚未登录,请点 登 陆 后下载,如果您还没有账户请点 注 册 ,登陆完成后,请刷新本页查看技术详细信息。.本申请涉及非晶硅电池生产技术领域,具体而言,涉及一种载具和硅片表面处理系统。背景技术.对于非晶硅铜栅线电池的电极制备,主要为先对表面附着有铜种子层的硅片进行感光胶涂覆形成感光胶层,后对感光胶层进行选择性激光曝光,在显影后去除呈栅线图形的感光胶层,以露出硅片表面的铜种子层,在露出的铜种子层上电镀生长出一层铜电极。.目前的选择性激光曝光,只能单面曝光。而非晶硅电池是双面电池,因此需要先曝光一面,进行翻面后再曝光另一面;导致处理效率较低。实用新型内容.本申请的目的在于提供一种载具和硅片表面处...
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该专利适合技术人员进行技术研发参考以及查看自身技术是否侵权,增加技术思路,做技术知识储备,不适合论文引用。