技术编号：34999548
提示：您尚未登录，请点 登 陆 后下载，如果您还没有账户请点 注 册 ，登陆完成后，请刷新本页查看技术详细信息。.本申请涉及半导体技术领域，更具体地，涉及一种半导体封装件。背景技术.参考图所示，现行的电力集成(power integration)封装结构，主要是将有源或无源的电子元件内埋至基板核心(substrate core)的空腔内，然后再利用树脂(resin)填充电子元件周围的空腔，并设置穿过基板核心的pth(plating through hole，电镀穿孔)，以经由pth 提供电子元件上方及下方的电性传导，并在电子元件上方设置重布线层(rdl，re-di...
注意：该技术已申请专利，请尊重研发人员的辛勤研发付出，在未取得专利权人授权前，仅供技术研究参考不得用于商业用途。
该专利适合技术人员进行技术研发参考以及查看自身技术是否侵权，增加技术思路，做技术知识储备，不适合论文引用。