技术编号：35056247
提示：您尚未登录，请点 登 陆 后下载，如果您还没有账户请点 注 册 ，登陆完成后，请刷新本页查看技术详细信息。.本发明涉及一种具有高压电路区域、晶体管元件区域、对晶体管元件区域和高压电路区域进行元件分离的分离区域、以及包含多列导电体的电容耦合型场板的半导体装置。背景技术.igbt、功率mosfet等功率器件除了用于马达控制用逆变器以外，还用于pdp(等离子体显示面板)、液晶面板等电源用途、空调或照明这样的家电用逆变器等多个领域。近年来，随着lsi(大规模集成电路)技术的进步，用于acv系的工业用电源等的高达v级的高耐压半导体装置(高耐压ic)被实用化。.使用将低侧驱动电路、高侧驱动电...
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