技术编号：35128003
提示：您尚未登录，请点 登 陆 后下载，如果您还没有账户请点 注 册 ，登陆完成后，请刷新本页查看技术详细信息。.本发明涉及的是一种光芯片领域的技术，具体是一种基于深硅刻蚀的光纤与硅光芯片高精度耦合实现方法。背景技术.集成光子学领域取得了巨大的发展。由于具有低成本、高性能、小尺寸和半导体大规模制造兼容性等优点，硅基光电子器件成为了集成光子学的研究热点。但由于光纤的芯径与芯片内波导的截面尺寸相差较大，芯片内光信号与片外光信号的耦合连接成为了硅基光电芯片封装技术的关键部分。以c波段(约nm)光波导为例，其理论宽度为nm、厚度为nm,其中传输的光场的模场直径(mfd)约为.μm，而单...
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