技术编号：35128897
提示：您尚未登录，请点 登 陆 后下载，如果您还没有账户请点 注 册 ，登陆完成后，请刷新本页查看技术详细信息。具有垂直晶体管的存储器器件及其形成方法背景技术.本公开涉及存储器器件及其制造方法。.通过改进工艺技术、电路设计、编程算法和制造工艺，将平面存储器单元缩小到更小的尺寸。然而，随着存储器单元的特征尺寸接近下限，平面工艺和制造技术变得具有挑战性且成本高。结果，用于平面存储器单元的存储器密度接近上限。.三维(d)存储器架构可以解决平面存储器单元中的密度限制。d存储器架构包括存储器阵列和用于促进存储器阵列的操作的外围电路。发明内容.在一个方面中，一种存储器器件包括垂直晶体管、存储单元和位线。垂...
注意：该技术已申请专利，请尊重研发人员的辛勤研发付出，在未取得专利权人授权前，仅供技术研究参考不得用于商业用途。
该专利适合技术人员进行技术研发参考以及查看自身技术是否侵权，增加技术思路，做技术知识储备，不适合论文引用。
该类技术注重原理思路，无完整电路图，适合研究学习。