技术编号:3533846
提示:您尚未登录,请点 登 陆 后下载,如果您还没有账户请点 注 册 ,登陆完成后,请刷新本页查看技术详细信息。本发明涉及一种制备氟甲烷(CH3F,下文简称为HFC-41)的方法。 背景技术 氢氟烃(HFC)的特征在于其臭氧消耗潜力为0,特别是HFC-41、二氟甲烷(CH2F2)和三氟甲烷(CHF3)是有用的半导体蚀刻气体。用作半导体蚀刻气体的HFC必须具有高纯度,更特别的是,它们的酸组分(氯化氢、氟化氢等)含量优选不大于1.0ppm质量,而它们的水分含量优选不大于10ppm质量,更优选不大于5ppm质量。所以,已经建议了许多方法来制备高纯度HFC,但是它们是具有两...
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