技术编号:35391147
提示:您尚未登录,请点 登 陆 后下载,如果您还没有账户请点 注 册 ,登陆完成后,请刷新本页查看技术详细信息。.本发明涉及具有良好绝缘特性的绝缘膜的制造方法,特别是涉及不需要高温的退火处理的绝缘膜的制造方法。背景技术.有时在基板或半导体装置的带有图案的基板上形成氧化硅膜作为绝缘膜。氧化硅膜大多以硅烷气体(sih)、teos(四乙氧基硅烷)作为原料,通过等离子体cvd(plasma-enhanced chemical vapor deposition:等离子体增强化学气相沉积)而形成,或者通过在基板上涂布sog(spin on glass:旋涂玻璃)并对其进行退火而形成。.利用等离子体cvd形成氧...
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