技术编号:35421159
提示:您尚未登录,请点 登 陆 后下载,如果您还没有账户请点 注 册 ,登陆完成后,请刷新本页查看技术详细信息。半导体存储装置.[关联申请的参考]本申请享受以日本专利申请-号(申请日:年月日)为基础申请的优先权。本申请通过参考此基础申请包括基础申请的全部内容。技术领域本实施方式涉及半导体存储装置。背景技术已知一种半导体存储装置,具备第一电极以及第二电极、以及设置于第一电极与第二电极之间的相变层。相变层例如包含锗(ge)、锑(sb)和碲(te)等。发明内容本发明所要解决的技术问题在于提供容量大的半导体存储装置。一个...
注意:该技术已申请专利,请尊重研发人员的辛勤研发付出,在未取得专利权人授权前,仅供技术研究参考不得用于商业用途。
该专利适合技术人员进行技术研发参考以及查看自身技术是否侵权,增加技术思路,做技术知识储备,不适合论文引用。
该类技术注重原理思路,无完整电路图,适合研究学习。