半导体存储装置的制作方法

本实施方式涉及半导体存储装置。

背景技术：

1、已知一种半导体存储装置，具备第一电极以及第二电极、以及设置于第一电极与第二电极之间的相变层。相变层例如包含锗(ge)、锑(sb)和碲(te)等。

技术实现思路

1、本发明所要解决的技术问题在于提供容量大的半导体存储装置。

2、一个实施方式的半导体存储装置，具备：第一电极以及第二电极，在第一方向上排列；以及相变层，设置于第一电极与第二电极之间，包含锗(ge)、锑(sb)以及碲(te)中的至少1种。相变层构成为，能够转变为非晶相相对于晶体相的体积比率为第一比率的第一状态、所述体积比率为比第一比率大的第二比率的第二状态、以及所述体积比率为比第二比率大的第三比率的第三状态。

技术特征：

1.一种半导体存储装置，具备：

2.根据权利要求1所述的半导体存储装置，

3.根据权利要求1或2所述的半导体存储装置，

4.根据权利要求1或2所述的半导体存储装置，

5.根据权利要求1或2所述的半导体存储装置，

6.根据权利要求1或2所述的半导体存储装置，

7.根据权利要求1或2所述的半导体存储装置，

8.根据权利要求1或2所述的半导体存储装置

9.根据权利要求1或2所述的半导体存储装置

10.根据权利要求1或2所述的半导体存储装置，包括：

技术总结
实施方式提供容量大的半导体存储装置。实施方式的半导体存储装置具备：在第一方向上排列的第一电极及第二电极；以及相变层，设置在第一电极与第二电极之间，包含锗(Ge)、锑(Sb)以及碲(Te)中的至少1种。相变层构成为能够转变为非晶相相对于晶体相的体积比率为第一比率的第一状态、所述体积比率为比第一比率大的第二比率的第二状态、以及所述体积比率为比第二比率大的第三比率的第三状态。

技术研发人员：大出裕之,大西佑辉,渡边伊吹
受保护的技术使用者：铠侠股份有限公司
技术研发日：
技术公布日：2024/1/15