本申请涉及显示,尤其涉及一种显示背板、显示面板及显示设备。
背景技术:
1、目前oled(organic light-emitting diode,有机发光二极管)显示技术的应用愈发普遍。在移动电子设备如智能手机上应用的oled显示面板,受到手机发热的影响,在不同区域的温度差异会导致不同区域的oled发光效率的差异。因此需要对不同区域的oled温度进行检测,以对不同温度区域的oled进行相应的补偿。然而,在oled显示面板中增加温度传感器,存在无法兼顾显示控制稳定性和温度传感器高灵敏度的问题。
技术实现思路
1、鉴于上述问题,本公开提供了一种显示背板、显示面板及显示设备,能够在提高显示背板中的温度传感器检测灵敏度的同时,保证显示背板的控制稳定性。
2、第一方面,本公开通过一实施例提供如下的技术方案:
3、一种显示背板,所述显示背板的显示区包括第一区域和至少一个第二区域;所述第一区域中设有至少一个第一晶体管,所述第二区域内设有至少一个温度传感器;
4、所述第一晶体管包括第一氧化物有源层、第一栅金属层和与所述第一氧化物有源层连接的第一源漏金属层;所述第一栅金属层在所述第一氧化物有源层上的正投影覆盖所述第一氧化物有源层中的沟道区;所述温度传感器包括第二氧化物有源层和与所述第二氧化物有源层连接的第二源漏金属层,所述第二氧化物有源层经掺杂处理;
5、所述显示背板还包括连接所述第二源漏金属层的读取电路,所述读取电路被配置为获取所述第二氧化物有源层的电学参数,所述电学参数用于确定所述显示背板的温度。
6、在一些实施例中,所述显示基板包括衬底基板和依次层叠在所述衬底基板上的缓冲层、栅绝缘层和层间介质层;
7、所述第一氧化物有源层设置在所述缓冲层和所述栅绝缘层之间;所述第一源漏金属层设置在所述层间介质层上,并通过过孔连接所述第一氧化物有源层,所述第一栅金属层设置在所述栅绝缘层和所述层间介质层之间;
8、所述第二氧化物有源层设置在所述缓冲层和所述栅绝缘层之间,所述第二源漏金属层设置在所述层间介质层上,并通过过孔连接所述第二氧化物有源层。
9、在一些实施例中,所述第一区域中设有至少一个第二晶体管,所述第二晶体管包括低温多晶硅有源层、第二栅金属层和第三源漏金属层;所述低温多晶硅有源层设置在所述缓冲层和所述栅绝缘层之间,所述第二栅金属层设置在所述栅绝缘层和所述层间介质层之间,所述第三源漏金属层设置在所述层间介质层上,并通过过孔连接所述低温多晶硅有源层。
10、在一些实施例中,所述显示背板还包括层叠在所述层间介质层上的平坦层,以及层叠在所述平坦层上的像素定义层和阳极层,所述像素定义层用于限定出所述第一区域和所述第二区域,所述阳极层设置在所述第一区域内,并通过所述平坦层的过孔连接所述第三源漏金属层。
11、在一些实施例中,所述层间介质层包括第一介质层和第二介质层,所述第一介质层位于所述栅绝缘层和所述第二介质层之间;
12、所述第一晶体管还包括设置在所述第一介质层和所述第二介质层之间的第三栅金属层,所述第三栅金属层和所述第一栅金属层在所述衬底基板上的正投影至少部分重合。
13、在一些实施例中,所述显示背板还包括设置在所述衬底基板和所述缓冲之间的遮光层,所述遮光层在所述衬底基板上的正投影与所述低温多晶硅有源层、所述第一氧化物有源层和所述第二氧化物有源层在所述衬底基板上的正投影至少部分重合。
14、在一些实施例中,所述温度传感器还包括第四栅金属层,所述第四栅金属层设置在所述栅绝缘层和所述层间介质层之间,所述第四栅金属层在所述第二氧化物有源层上的正投影与所述第二氧化物有源层中的沟道区部分重合。
15、在一些实施例中,所述第四栅金属层上设有镂空区或开口区。
16、在一些实施例中,所述第四栅金属层的形状为c字形、e字形、f字形、u字形中的其中一种。
17、在一些实施例中,所述温度传感器在所述显示背板上的排布密度为400mm2/个~600mm2/个。
18、在一些实施例中,所述第二氧化物有源层采用磷化氢或硼烷进行离子注入掺杂,且离子注入量不超过1012/cm2。
19、第二方面,基于同一发明构思,本公开通过一实施例提供如下技术方案:
20、一种显示面板,包括第一方面实施例提供的任一项所述的显示背板。
21、第三方面,基于同一发明构思,本公开通过一实施例提供如下技术方案:
22、一种显示设备,包括第二方面实施例提供的显示面板。
23、通过本公开的一个或者多个技术方案,本公开具有以下有益效果或者优点:
24、本公开提供了一种显示背板,通过在显示背板上的显示区上形成第一区域和第二区域,第二区域内设置至少一个温度传感器,以实现对显示背板的温度检测;一方面,温度传感器根据第二氧化物有源层的电学参数进行温度检测,而第二氧化物有源层经过掺杂处理,其显微组织中具有更多的缺陷态,因此具有更高的温度探测灵敏度;另一方面,由于第一氧化物有源层上的正投影覆盖第一氧化物有源层沟道区,因此在掺杂处理时第一氧化物有源层的沟道区被第一栅金属层遮挡,因此不会产生较多的缺陷态,保证了第一晶体管的稳定性;两方面结合使显示背板兼顾了控制稳定性和温度检测灵敏度。
25、上述说明仅是本公开技术方案的概述,为了能够更清楚了解本公开的技术手段,而可依照说明书的内容予以实施,并且为了让本公开的上述和其它目的、特征和优点能够更明显易懂,以下特举本公开的具体实施方式。
1.一种显示背板,其特征在于,所述显示背板的显示区包括第一区域和第二区域;所述第一区域中设有至少一个第一晶体管,所述第二区域内设有至少一个温度传感器;
2.如权利要求1所述的显示背板,其特征在于,所述显示基板包括衬底基板和依次层叠在所述衬底基板上的缓冲层、栅绝缘层和层间介质层;
3.如权利要求2所述的显示背板,其特征在于,所述第一区域中设有至少一个第二晶体管,所述第二晶体管包括低温多晶硅有源层、第二栅金属层和第三源漏金属层;所述低温多晶硅有源层设置在所述缓冲层和所述栅绝缘层之间,所述第二栅金属层设置在所述栅绝缘层和所述层间介质层之间,所述第三源漏金属层设置在所述层间介质层上,并通过过孔连接所述低温多晶硅有源层。
4.如权利要求3所述的显示背板,其特征在于,所述显示背板还包括层叠在所述层间介质层上的平坦层,以及层叠在所述平坦层上的像素定义层和阳极层,所述像素定义层用于限定出所述第一区域和所述第二区域,所述阳极层设置在所述第一区域内,并通过所述平坦层的过孔连接所述第三源漏金属层。
5.如权利要求3所述的显示背板,其特征在于,所述层间介质层包括第一介质层和第二介质层,所述第一介质层位于所述栅绝缘层和所述第二介质层之间;
6.如权利要求3所述的显示背板,其特征在于,所述显示背板还包括设置在所述衬底基板和所述缓冲之间的遮光层,所述遮光层在所述衬底基板上的正投影与所述低温多晶硅有源层、所述第一氧化物有源层和所述第二氧化物有源层在所述衬底基板上的正投影至少部分重合。
7.如权利要求2所述的显示背板,其特征在于,所述温度传感器还包括第四栅金属层,所述第四栅金属层设置在所述栅绝缘层和所述层间介质层之间,所述第四栅金属层在所述第二氧化物有源层上的正投影与所述第二氧化物有源层中的沟道区部分重合。
8.如权利要求7所述的显示背板,其特征在于,所述第四栅金属层上设有镂空区或开口区。
9.如权利要求7所述的显示背板,其特征在于,所述第四栅金属层的形状为c字形、e字形、f字形、u字形中的其中一种。
10.如权利要求1所述的显示背板,其特征在于,所述温度传感器在所述显示背板上的排布密度为400mm2/个~600mm2/个。
11.如权利要求1所述的显示背板,其特征在于,所述第二氧化物有源层采用磷化氢或硼烷进行离子注入掺杂,且离子注入量不超过1012/cm2。
12.一种显示面板,其特征在于,包括如权利要求1~11任一项所述的显示背板。
13.一种显示设备,其特征在于,包括如权利要求12所述的显示面板。