技术编号:35454481
提示:您尚未登录,请点 登 陆 后下载,如果您还没有账户请点 注 册 ,登陆完成后,请刷新本页查看技术详细信息。.本公开涉及半导体的技术领域,尤其涉及一种半导体结构及半导体结构的制作方法。背景技术.芯片键合技术中,先将晶圆切割成芯片颗粒,然后选取合格的芯片与目标晶圆进行直接键合,实现无球三维多层堆叠封装。无球三维多层堆叠封装中,在一层芯片颗粒与晶圆键合后,需要将芯片之间空隙填平,才能继续后续的晶圆减薄/大马士革等工艺。然而在对芯片之间空隙填平的过程中,多层芯片的堆叠容易受芯片之间空隙中填充材料产生的应力而导致芯片脱落甚至断裂。发明内容.以下是对本公开详细描述的主题的概述。本概述并非是为了限制权利要求...
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该专利适合技术人员进行技术研发参考以及查看自身技术是否侵权,增加技术思路,做技术知识储备,不适合论文引用。