技术编号:35494841
提示:您尚未登录,请点 登 陆 后下载,如果您还没有账户请点 注 册 ,登陆完成后,请刷新本页查看技术详细信息。等离子体处理装置、等离子体处理装置用结构物、及等离子体处理方法.[相关申请案的引用]本申请案基于年月日提出申请的在先日本专利申请案第-号的优先权而主张优先权利益,通过引用将其全部内容并入本文中。技术领域本发明的实施方式涉及一种等离子体处理装置、等离子体处理装置用结构物、及等离子体处理方法。背景技术近年来,已知有使用磁控溅镀装置、等离子体化学气相沉积装置(等离子体cvd装置)等等离子体处理装置来处理对象物的表面的技术。发明内容...
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该专利适合技术人员进行技术研发参考以及查看自身技术是否侵权,增加技术思路,做技术知识储备,不适合论文引用。