等离子体处理装置、等离子体处理装置用结构物、及等离子体处理方法与流程

本发明的实施方式涉及一种等离子体处理装置、等离子体处理装置用结构物、及等离子体处理方法。

背景技术：

1、近年来，已知有使用磁控溅镀装置、等离子体化学气相沉积装置(等离子体cvd装置)等等离子体处理装置来处理对象物的表面的技术。

技术实现思路

1、一实施方式提供一种降低处理对象物的表面的粗糙度的等离子体处理装置、等离子体处理装置用结构物、及等离子体处理方法。

2、实施方式的等离子体处理装置具备：第1腔室；电极，设置在第1腔室内，且具有表面；以及搬送机构，用来将具有强磁性体的结构物与处理对象物，以强磁性体配置在表面与处理对象物之间、且在与表面大致平行的面内具有单一极性的方式载置在第1腔室内。

3、此处，所谓大致平行，除了严格意义上的完全的平行以外，例如也包含下述强磁性体122的单一极性与电极13的表面13a所成的角为30度以内的情况。

4、根据所述构成，能够提供一种降低处理对象物的表面的粗糙度的等离子体处理装置、等离子体处理装置用结构物、及等离子体处理方法。

技术特征：

1.一种等离子体处理装置用结构物，具备：

2.根据权利要求1所述的等离子体处理装置用结构物，其中所述强磁性体为永久磁铁。

3.根据权利要求1所述的等离子体处理装置用结构物，其中所述强磁性体填埋在所述托盘内。

4.根据权利要求1所述的等离子体处理装置用结构物，其中所述强磁性体沿着与所述底面交叉的方向形成磁力线。

5.根据权利要求1所述的等离子体处理装置用结构物，其中在所述底面具有开口。

6.根据权利要求1所述的等离子体处理装置用结构物，其中所述强磁性体的数量是单一。

7.一种等离子体处理装置，具备：

8.根据权利要求7所述的等离子体处理装置，其中所述强磁性体为永久磁铁。

9.根据权利要求7所述的等离子体处理装置，还具备能够将所述强磁性体的温度控制为所述强磁性体的居里温度以下的温度的温度控制机构。

10.根据权利要求7所述的等离子体处理装置，还具备能够控制由所述等离子体处理装置处理的处理对象物与所述强磁性体的距离的驱动机构。

11.根据权利要求7所述的等离子体处理装置，其中所述强磁性体沿着与所述表面交叉的方向形成磁力线。

12.一种等离子体处理方法，具备：

13.根据权利要求12所述的等离子体处理方法，其中通过所述等离子体的产生，而在所述处理对象物的表面形成含碳膜。

14.根据权利要求12所述的等离子体处理方法，其中所述处理对象物为石英衬底。

15.根据权利要求12所述的等离子体处理方法，其中所述强磁性体为永久磁铁。

16.根据权利要求12所述的等离子体处理方法，其中所述强磁性体沿着所述方向形成磁力线。

17.根据权利要求12所述的等离子体处理方法，其中所述强磁性体填埋在托盘中，该托盘具有能够配置所述处理对象物的凹部、及与所述凹部为相反侧的载置面。

18.根据权利要求17所述的等离子体处理方法，其中在载置所述处理对象物之前，将配置在所述凹部的所述处理对象物搬送到所述处理室内。

技术总结
本发明涉及一种等离子体处理装置、等离子体处理装置用结构物、及等离子体处理方法。等离子体处理装置具备：第1腔室；电极，设置在第1腔室内，且具有表面；以及搬送机构，用来将具有强磁性体的结构物与处理对象物，以强磁性体配置在表面与处理对象物之间、且在与表面大致平行的面内具有单一极性的方式载置在第1腔室内。

技术研发人员：本川刚治,櫻井典子,桜井秀昭
受保护的技术使用者：铠侠股份有限公司
技术研发日：
技术公布日：2024/1/15