技术编号:35537536
提示:您尚未登录,请点 登 陆 后下载,如果您还没有账户请点 注 册 ,登陆完成后,请刷新本页查看技术详细信息。.本公开实施例涉及半导体技术领域,特别是涉及一种半导体结构及其制备方法。背景技术.由于漏极的高浓度掺杂,导致漏极附近的横向电场增大,导致gidl(gate-induced drain leakage,栅诱导漏极泄漏电流)。随着dram(dynamic random access memory,动态随机存取存储器)特征尺寸的缩小,dram中存储晶体管的gidl会增大,影响存储晶体管的性能,为了提高存储晶体管的性能,需要控制存储晶体管的阈值电压。发明内容.本公开实施例提供了一种半导体结构及其制...
注意:该技术已申请专利,请尊重研发人员的辛勤研发付出,在未取得专利权人授权前,仅供技术研究参考不得用于商业用途。
该专利适合技术人员进行技术研发参考以及查看自身技术是否侵权,增加技术思路,做技术知识储备,不适合论文引用。
该类技术注重原理思路,无完整电路图,适合研究学习。