技术编号:35577998
提示:您尚未登录,请点 登 陆 后下载,如果您还没有账户请点 注 册 ,登陆完成后,请刷新本页查看技术详细信息。半导体装置.关联申请.本申请享受以日本专利申请第-号(申请日:年月日)及日本专利申请第-号(申请日:年月日)为基础申请的优先权。本申请通过参照这些基础申请而包含基础申请的全部内容。技术领域.实施方式涉及半导体装置。背景技术.绝缘栅双极型晶体管(igbt)等半导体装置被用于电力转换等用途。在这样的半导体装置中,要求降低接通时的损耗。发明内容.实施方式的目的在于提供能够降低接通时的损耗的半导体装置。.实施方式的半导体装置具备...
注意:该技术已申请专利,请尊重研发人员的辛勤研发付出,在未取得专利权人授权前,仅供技术研究参考不得用于商业用途。
该专利适合技术人员进行技术研发参考以及查看自身技术是否侵权,增加技术思路,做技术知识储备,不适合论文引用。