半导体装置的制作方法

实施方式涉及半导体装置。

背景技术：

1、绝缘栅双极型晶体管(igbt)等半导体装置被用于电力转换等用途。在这样的半导体装置中，要求降低接通时的损耗。

技术实现思路

1、实施方式的目的在于提供能够降低接通时的损耗的半导体装置。

2、实施方式的半导体装置具备第一电极、半导体部、第二电极、构造体和绝缘部。所述半导体部包含设于所述第一电极之上的p型的第一半导体区域设于所述第一半导体区域之上的n型的第二半导体区域、设于所述第二半导体区域之上的p型的第三半导体区域、设于所述第三半导体区域之上的n型的第四半导体区域和设于所述第三半导体区域中上的p型的第五半导体区域。所述第二电极设于所述半导体部之上。所述构造体包含栅极部和虚设部。所述栅极部包含至少一个栅极电极。所述虚设部包含至少两个虚设电极。所述栅极部和所述虚设部在与从所述第一半导体区域朝向所述第二半导体区域的第一方向垂直的第二方向上交替地配置。所述绝缘部设于所述栅极电极与所述半导体部之间。所述栅极部设于所述第四半导体区域之中。对于所述第二电极，施加第一电位。对于所述栅极电极，施加比所述第一电位高的第二电位。对于设于与所述栅极部相邻的位置的所述虚设电极，施加比所述第一电位高的第三电位。

技术特征：

1.一种半导体装置，其特征在于，具备：

2.根据权利要求1所述的半导体装置，其特征在于，

3.根据权利要求1所述的半导体装置，其特征在于，

4.根据权利要求1所述的半导体装置，其特征在于，

5.根据权利要求1所述的半导体装置，其特征在于，

6.根据权利要求1所述的半导体装置，其特征在于，

7.一种半导体装置，其特征在于，具备：

8.根据权利要求7所述的半导体装置，其特征在于，

9.根据权利要求7所述的半导体装置，其特征在于，

10.根据权利要求7所述的半导体装置，其特征在于，

11.根据权利要求1～10中任一项所述的半导体装置，其特征在于，

12.一种半导体装置，其特征在于，具备：

13.根据权利要求12所述的半导体装置，其特征在于，

技术总结
实施方式提供半导体装置，能够降低接通时的损耗。实施方式的半导体装置具备第一电极、半导体部、第二电极、构造体和绝缘部。半导体部包含设于第一电极之上的p型的第一半导体区域、设于第一半导体区域之上的n型的第二半导体区域、设于第二半导体区域之上的p型的第三半导体区域和设于第三半导体区域之上的n型的第四半导体区域及p型的第五半导体区域。构造体包含栅极部和虚设部，栅极部包含至少一个栅极电极，虚设部包含至少两个虚设电极。栅极部和虚设部交替地配置。对于第二电极，施加第一电位。对于栅极电极，施加比第一电位高的第二电位。对于设于与栅极部相邻的位置的虚设电极，施加比第一电位高的第三电位。

技术研发人员：南川和生,吉川大辉,安原纪夫,中村和敏
受保护的技术使用者：株式会社东芝
技术研发日：
技术公布日：2024/1/15