技术编号：35578002
提示：您尚未登录，请点 登 陆 后下载，如果您还没有账户请点 注 册 ，登陆完成后，请刷新本页查看技术详细信息。.本发明是关于一种碳化硅半导体元件，且特别关于一种碳化硅功率半导体元件。背景技术.碳化硅(sic)肖特基整流器(或肖特基二极管(schottky barrier diodes，sbd))是单极元件，与传统双极硅pin整流器相比，在开关模式电源(switch-mode power supplies，smps)、逆变器以及转换器等许多电力电子的应用中可提供更低的损耗并提高效率。然而，由于碳化硅的能隙为.ev，高于硅的.ev能隙，因此碳化硅肖特基二极管(sic sbd)的典型切入电压(整流...
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