技术编号:35578060
提示:您尚未登录,请点 登 陆 后下载,如果您还没有账户请点 注 册 ,登陆完成后,请刷新本页查看技术详细信息。.本发明涉及半导体装置。背景技术.以往,已知有具备在单一的基板上一体形成且并联连接的mosfet(metal oxide semi-conductor field effect transistor:金属氧化膜半导体场效应型晶体管)和bjt(bipolar junction transistor:双极结型晶体管)的半导体装置(例如,参照日本国特开昭-号公报及日本国特开昭-号公报)。发明内容.在上述的现有技术的半导体装置中,希望在漏电极与源电极之间确保所希望的...
注意:该技术已申请专利,请尊重研发人员的辛勤研发付出,在未取得专利权人授权前,仅供技术研究参考不得用于商业用途。
该专利适合技术人员进行技术研发参考以及查看自身技术是否侵权,增加技术思路,做技术知识储备,不适合论文引用。