技术编号：3566426
提示：您尚未登录，请点 登 陆 后下载，如果您还没有账户请点 注 册 ，登陆完成后，请刷新本页查看技术详细信息。本发明涉及通过原子层沉积(ALD)，也称作原子层外延，形成含钌的膜的方法。 背景技术ALD是基于表面反应的自限制、顺序性的独特膜生长技术，其可以提供原子层控制 和将由例如钛基前体提供的材料的保形薄膜沉积到在各种组成的基材上。在ALD中，在反 应过程中分离各前体。使第一前体经过所述基材上方，在基材上产生单层。从反应室泵送 出任何过量的未反应前体。然后，使第二前体经过所述基材上方并与所述第一前体反应，在 基材表面上的第一形成层的上方形成膜的第二单层。重复这个循...
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