技术编号：35677845
提示：您尚未登录，请点 登 陆 后下载，如果您还没有账户请点 注 册 ，登陆完成后，请刷新本页查看技术详细信息。.本发明涉及半导体技术领域，尤其是涉及一种半导体器件的刻蚀方法。背景技术.在半导体制造中，低温等离子体刻蚀的主要应用是将曝光显影在光阻层的图形传递到目标膜层上，从而形成设计要求的图案和三维结构等。刻蚀前，在掩膜上已经形成了待刻蚀的图案，具体的电路图案十分复杂，往往具有不同的图形疏密度和不同的关键尺寸(cd)，这些不均匀性会导致刻蚀相同的时间时，不同区域的刻蚀深度不同。.由于整片晶圆上的刻蚀速率不同以及薄膜的厚度不均匀，在刻蚀过程中所有的目标材料并非同时从晶圆上去除，需要引入过刻蚀。过刻蚀时...
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