技术编号:35684540
提示:您尚未登录,请点 登 陆 后下载,如果您还没有账户请点 注 册 ,登陆完成后,请刷新本页查看技术详细信息。.本发明属于半导体加工技术领域,尤其涉及一种自对准接触区处理方法、槽孔结构及芯片。背景技术 自对准接触sac(self aligned contact)工艺在闪存(flash)等芯片,例如通过氧化物介质擦除式结构etox(erase through oxide)非或(nor)flash的加工中得到了应用,但为了克服存储区域(cell)收缩(shrink)引入的自对准源sas(self aligned source)电阻的增大,漏(drain)端侧墙(space)及存储区高度限制;其...
注意:该技术已申请专利,请尊重研发人员的辛勤研发付出,在未取得专利权人授权前,仅供技术研究参考不得用于商业用途。
该专利适合技术人员进行技术研发参考以及查看自身技术是否侵权,增加技术思路,做技术知识储备,不适合论文引用。
该类技术注重原理思路,无完整电路图,适合研究学习。